近日，北京工业大学理学部王晓蕾副教授团队在磁-电多态存储器研究领域取得了重要进展，研究成果“Electrical and magnetic anisotropies in van der Waals multiferroic CuCrP2S6”发表在权威期刊《Nature Communications》上。

非易失存储器作为信息存储的核心载体，利用存储材料的物理特性作为存储“介质”。由于其具有能耗远低于传统半导体存储器件等优势，已被纳入了国家“十四五”信息化规划。如何简单、高效地调控存储材料的物理特性，以实现存储器变量在多稳态之间的切换（即数据的写入），是开发非易失存储器必须要解决的关键技术问题之一。

王晓蕾副教授团队在调控存储材料物理特性方面的研究成果，取得了四个方面的突破：一、首次揭示了范德华多铁CuCrP2S6材料面内的电学各向异性，以及极化电压、通电时间和极化方向调制的忆阻行为；二、观察到温度和磁场调控的自旋翻转和反铁磁相变，获得了不同晶轴方向上的磁各向异性参数；三、首次发现了常规频率范围内，各向异性的自旋共振行为，以及在小磁场下调控的多种共振模式；四、证明了磁电耦合效应，可制备低功耗、非易失的新型磁电多态忆阻器，能耗比电流驱动的自旋忆阻器件降低了两个数量级。