由北京有色金属研究总院有研稀土新材料股份有限公司和北京工业大学联合承担的北京市自然科学基金重点项目“自旋阀结构锰氧化物巨磁电阻薄膜的研究”和配套的国家科技部重大前期基础研究项目“钙钛矿型稀土锰氧化物自旋阀GMR的研究”于2005年3月18日通过了由北京市自然科学基金委员会组织的专家验收评审。

　　巨磁电阻（GMR）材料是指在外磁场的作用下电阻可显著降低的一类新兴磁性功能性材料。它被广泛应用于计算机硬盘用磁头、随机存储器、传感器等关键器件中。目前实际应用的均是金属薄膜巨磁电阻，钙钛矿型稀土锰氧化物是一类新的巨磁电阻材料，它的性能远远高于金属薄膜电阻，是世界各国研究开发的热点。

　　该课题主要进行了La1-xSrxMnO3钙钛矿型稀土锰氧化物靶材、薄膜、隧道结制备及其相关性能的研究，从理论上系统地研究了周期磁垒调制下二维电子气的磁阻效应。其中最为重要的成果是基于对规律的认识，采用薄膜复合技术和先进的微加工工艺制备的自旋阀型全钙钛矿锰氧化物巨磁电阻隧道结，其磁电阻变化率达到9050％（是目前世界报道的最好水平1800％的5倍），由此计算出La0.7Sr0.3MnO3的自旋极化率为99％，首次从隧穿实验上证实了La0.7Sr0.3MnO3的半金属特性，和理论预言相吻合。

　　验收专家们一致认为该项目在La0.7Sr0.3MnO3靶材加工和研制、成分优化、单晶薄膜外延生长、隧道结微制备及其相关性能等方面的研究工作取得了出色成果，掌握了磁控溅射沉积锰氧化物多层膜的成分偏析规律和工艺参数，为开发具有自主知识产权的钙钛矿锰氧化物材料及其器件的新产品开发奠定了坚实基础。