沈光地教授，教育部重点实验室北京光电子技术实验室首席专家、实验室主任。多年从事光电子技术核心内容--物理构想和结构设计的研究，是该领域国内外知名专家。

沈光地教授是我国最早（1962年）倡议并研究半导体激光器的主要人员，也是我国最早（1974年）研究并最先成功研制出CCD的中科院半导体所CCD小组组长。1985-1992年，沈光地博士在国外进行科研工作期间，主持研制发表了世界上第一批SiGe/Si异质结晶体管，这是超高速微电子领域的开拓性研究成果，并在双向负阻、SiGe/Si共振隧道器件、新型中远红外探测器和高效激光器、发光管的研究上取得了一系列国际先进水平的成果。1992年，沈光地教授回国从事半导体光电子与高速微电子科研教学工作。93年以来，沈光地教授申请到并主持了40多项国家纵向科研课题，包括国家973、863项目7项，国家基金10项、国家九五攻关、市科委、市基金项目等，年均获得400万元以上的科研经费支持，完成了近30项国家任务，取得多项原创性科技成果；申请国家发明专利10来项，已获批准6项；发表学术论文超过200篇；并每年为国家培养博士、硕士研究生20多名。根据其创新构想研制成功的“SiGe/Si异质结双极晶体管”获北京市1998年度科技进步二等奖。2002年“高效高亮度发光二极管”获得科技部等国家五部委的国家重点新产品证书和40万元奖金，并于2003年以其创新思想与科研成果、专利为技术投资与长电科技的资金合资组建了亿元级的北京长电智源光电子有限公司。

沈光地教授基本功扎实，作风严谨，思想活跃，创新性强，在半导体发光激光器件、红外探测器、SiGe/Si异质结晶体管等前沿领域均提出了独特的新物理构想和器件结构，在理论和实验上获得了十分可贵的成果。在沈教授的带领下，我校北京光电子技术实验室在信息和材料学科的半导体发光激光、红外探测和高速电子管等研究方向上都达到了国际先进水平，在学科建设、科研成果和人才培养上取得了长足的进展，现在已由北京市科委重点实验室上升为国家教育部和北京市合建的教育部重点实验室。